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KRI 霍爾離子源 eH 系列伯東代理

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公司名稱伯東企業(yè)（上海）有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)
所在地上海市
廠商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間2021/12/28 14:08:44
訪問(wèn)次數(shù)240

產(chǎn)品標(biāo)簽:

離子源射頻離子源中和器自動(dòng)控制器離子束

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

　伯東企業(yè)(上海)有限公司專業(yè)代理各國(guó)真空產(chǎn)品位于中國(guó)上海浦東外高橋保稅區(qū)的伯東企業(yè)(上海)有限公司創(chuàng)建于1995年12月，是日本伯東株式會(huì)社獨(dú)資設(shè)立的外商投資企業(yè)，公司注冊(cè)資金為200萬(wàn)美元，到目前為止公司從業(yè)員工有400多人。

　　伯東企業(yè)(上海)有限公司 ()專業(yè)銷(xiāo)售及維修德國(guó)Pfeiffer單雙級(jí)旋片泵，干泵，羅茨泵，分子泵；應(yīng)用于各種條件下的真空測(cè)量(真空計(jì), 真空規(guī)管)；檢漏儀，質(zhì)譜儀，真空系統(tǒng)等等, 維修技術(shù)力量雄厚，保證 100 % 擁有標(biāo)準(zhǔn)的德國(guó)Pfeiffer原廠測(cè)試設(shè)備及調(diào)整工具和德國(guó)Pfeiffer專業(yè)培訓(xùn)工程師，多年來(lái)致力于真空系統(tǒng)的安裝、調(diào)試、維修、拆機(jī)、保養(yǎng)等，具有優(yōu)良的專業(yè)技能和服務(wù)意識(shí)，并獲得原廠*維修資質(zhì)證書(shū)。利用 Pfeiffer 進(jìn)口檢測(cè)設(shè)備對(duì)維修后的產(chǎn)品做*性能測(cè)試。另外公司還代理美國(guó)Brooks CTI Cryopump 冷凝泵/低溫泵, Polycold 冷凍機(jī)和美國(guó)KRI 離子源，HVA 高真空閥門(mén)。

　　公司一直堅(jiān)持品質(zhì)*、信譽(yù)*的原則，為廣大客戶提供了高品質(zhì)的產(chǎn)品以及良好的售后服務(wù)。到目前為止已先后通過(guò)了美國(guó)UL安全認(rèn)證、ISO9001-2000質(zhì)量體系認(rèn)證、ISO14001-1996環(huán)境體系認(rèn)證。公司將在今后的發(fā)展中秉承以人為本，不斷開(kāi)拓進(jìn)取的精神，為滿足客戶的需求努力向?qū)I(yè)化、優(yōu)質(zhì)化、集團(tuán)化發(fā)展。

展開(kāi)顯示更多內(nèi)容

氦質(zhì)譜檢漏儀,分子泵,原子力顯微鏡,高低溫測(cè)試機(jī),離子源,真空閥門(mén)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

產(chǎn)地	進(jìn)口	產(chǎn)品新舊	全新

美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計(jì), 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.

KRI 霍爾離子源 eH 系列伯東代理產(chǎn)品信息

美國(guó) KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計(jì), 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級(jí)的細(xì)微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)有效提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù). 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如鍍膜機(jī), load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機(jī)等.

美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 特性
無(wú)柵極
高電流低能量
發(fā)散光束 >45
可快速更換陽(yáng)極模塊
可選 Cathode / Neutralize 中和器

美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 主要應(yīng)用
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學(xué)鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍?cè)O(shè)備預(yù)清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜

美國(guó) KRI 霍爾離子源 Gridless eH

霍爾離子源 eH 系列在售型號(hào):

型號(hào)	eH400	eH1000	eH2000	eH3000	eH Linear
中和器	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC	F
陽(yáng)極電壓	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V	50-300 V
離子束流	5A	10A	10A	20A	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45
氣體流量	2-25 sccm	2-50 sccm	2-75 sccm	5-100 sccm	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用
本體高度	3.0“	4.0“	4.0“	6.0“	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用
直徑	3.7“	5.7“	5.7“	9.7“	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用
水冷	可選	可選	是	可選	根據(jù)實(shí)際應(yīng)用

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng) 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 霍爾離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 葉小姐中國(guó)臺(tái)灣伯東: 王小姐

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