專業(yè)儀器設備與測試方案供應商——上海堅融實業(yè)有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 堅友（上海）測量儀器有限公司JETYOO INSTRUMENTS，為原安捷倫Agilent技術工程師-堅JET和吉時利KEITHLEY應用工程師-融YOO于2011年共同創(chuàng)辦的以技術支持為特色的代理貿(mào)易公司，志在破舊立新！進口儀器設備大多廠家僅在國內(nèi)設銷售點，技術支持薄弱或者沒有，而代理經(jīng)銷商也只專業(yè)做商務銷售，不專業(yè)做售前儀器設備選型配置/測試方案系統(tǒng)搭建，不專業(yè)做售后操作使用培訓/維修校準保養(yǎng)的空白。我們的技術銷售工程師均為本科以上學歷，且均有10年以上測試行業(yè)經(jīng)驗，以我們*的經(jīng)營理念，專業(yè)為祖國用戶提供儀器設備、測試方案、技術培訓、維修服務，為上海華東地區(qū)一家以技術為導向的儀器設備綜合服務商。
美國吉時利KEITHLEY 4200A-SCS半導體參數(shù)分析儀應用領域
使用4200A-SCS參數(shù)分析儀進行范德堡和霍爾電壓測量 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS和范德堡方法測量半導體材料的電阻系數(shù)。
使用4200A-SCS參數(shù)分析儀進行電荷泵測量 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS及選配的4225-PMU超快速I-V模塊(PMU)或4220-PGU脈沖發(fā)生器單元(PGU)進行電荷泵測量。
使用吉時利Model 4200-SCS參數(shù)分析儀進行晶圓級可靠性測試
使用4200A-SCS參數(shù)分析儀及斜率方法進行準靜態(tài)C-V測量 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS和斜率方法實現(xiàn)和優(yōu)化準靜態(tài)C-V測量。
電阻系數(shù)測量及材料特性分析技術 - NEW
4200A-SCS 電阻系數(shù)測量及材料特性分析技術本材料特性分析應用指南提供了各種技術小貼士，根據(jù)材料類型、形狀和厚度及電阻幅度，為電阻系數(shù)測量選擇四點共線探頭或范德堡方法。
使用4200A-SCS參數(shù)分析儀分析MOS電容器的C-V特點
本應用指南討論了怎樣使用配備4210-CVU集成C-V選項的Keithley 4200A-SCS參數(shù)分析儀對MOS電容器進行C-V測量，另外還介紹了MOS管基本原理，對MOS電容器執(zhí)行C-V測量，提取常用C-V參數(shù)，以及各種測量技術。
使用4200A-SCS參數(shù)分析儀在高阻抗器件上執(zhí)行超低頻率電壓-電壓測量 - NEW
本應用指南介紹了VLF C-V技術，闡述了怎樣連接被測器件(DUT)，說明了怎樣使用提供的軟件，描述了怎樣使用Keithley 4200A-SCS參數(shù)分析儀優(yōu)化VLF C-V測量。
測量通道有效移動性的超快速單脈沖(UFSP)技術 - NEW
本應用指南介紹了準確評估移動性的一種新型超快速單脈沖技術(UFSP) [4, 5]，同時介紹了怎樣連接器件，怎樣使用4200A-SCS參數(shù)分析儀中的Clarius軟件。
使用4200A-SCS參數(shù)分析儀優(yōu)化低電流測量 -NEW
本應用指南介紹了吉時利為使用4200A-SCS優(yōu)化低電流測量提供的最的方法和推薦設備。
使用4200A-CVIV多開關和4200A-SCS參數(shù)分析儀在C-V測量和I-V測量之間切換 - NEW
本應用指南介紹了怎樣在同一器件上簡便地進行I-V測量和C-V測量，而無需改變電纜，避免引入錯誤或損壞器件。
使用Model 4225-RPM遠程放大器/開關，在DC I-V、C-V和脈沖式I-V測量之間自動切換 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4225-RPM在SMU、CVU和PMU之間切換，在單個器件上進行DC I-V、C-V和脈沖式I-V測量。特別是，它介紹了硬件連接及怎樣使用系統(tǒng)軟件Clarius配置和執(zhí)行測試。
使用4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包及4200A-SCS參數(shù)分析儀執(zhí)行高電壓和高電流C-V測量 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用Keithley 4200A-SCS、4210-CVU和4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包實現(xiàn)和優(yōu)化高C-V測試。
半導體特性分析方法和技術 - NEW
4200A-SCS 半導體特性分析方法和技術應用指南本半導體特性分析應用指南提供了各種小貼士和技術，讓您了解DC半導體器件性能，幫助您應對可能阻礙測量及引入錯誤的各種挑戰(zhàn)。
元器件和半導體器件的DC I-V測試
本DC I-V測試應用電子指南包含著大量的應用指南，介紹了使用吉時利Model 4200-SCS參數(shù)分析儀進行DC IV-測試的方法和技巧。Model 4200-SCS提供了各種I-V測量，包括p泄漏電流測量和µΩ級電阻測量。 應用指南 09 Nov 2018
使用4200A-SCS參數(shù)分析儀分析光伏材料和太陽能電池的電氣特點 - NEW
DC和脈沖式電流-電壓(I?V)、電容-電壓(C?V)、電容-頻率(C-f)、驅(qū)動電平電容曲線(DLCP)、四探頭電阻系列(ρ,σ)和霍爾電壓(VH)測量本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS參數(shù)分析儀在光伏電池上進行各種電氣測量，包括DC和脈沖式電流-電壓(I?V)、電容-電壓(C?V)、電容-頻率(C-f)、驅(qū)動電平電容曲線(DLCP)、四探頭電阻系列(ρ,σ)和霍爾電壓(VH)測量。
使用4200A-SCS參數(shù)分析儀和四點共線探頭測量半導體材料的電阻系數(shù) - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS及四點共線探頭對半導體材料進行電阻系數(shù)測量。
Touch, Test, Invent，采用下一代電流和電壓源測量儀器
吉時利為電化學測試方法和應用提供的儀器
本應用指南討論了如何采用吉時利儀器進行電化學科學研究。
非易失性內(nèi)存的脈沖I-V特性分析技術 - NEW
本應用指南簡要回顧了非易失性內(nèi)存(NVM)的發(fā)展歷史，概括介紹了分析NVM材料和器件電氣特點所需的測試參數(shù)，闡述了Model 4225-PMU超快速I-V模塊及Model 4225-RPM遠程放大器/開關的功能（這是為用于吉時利Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)設計的兩種儀器選項）。
使用4200A-SCS參數(shù)分析儀測量碳納米管晶體管(CNT FETs)的電氣特點 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS參數(shù)分析儀優(yōu)化CNT FET上的DC、脈沖式I-V和C-V測量。它詳細介紹了在測試碳納米管晶體管時探頭布線和連接、保護、屏蔽、降噪技術及其他重要測量考慮因素。
*半導體器件與材料特性分析系 統(tǒng) – 4200-SCS 的技術進展
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)分析光伏材料和太陽能電池的電氣特點
尋找當今解決方案，迎接未來納米特性分析挑戰(zhàn)
吉時利正幫助推動越來越多的納米科技應用向前發(fā)展。我們?yōu)檎{(diào)查新材料和新器件屬性開發(fā)的解決方案是為直觀操作而設計的，因此您可以迅速簡便地獲得所需結果。 手冊 04 Feb 2017
吉時利脈沖解決方案
本指南旨在幫助您確定包括適合您應用要求的脈沖源的吉時利解決方案。
分析RF功率晶體管的電氣特點
本應用指南概括介紹了通信行業(yè)中較常用的RF晶體管的DC特性分析。盡管新型放大器設計和材料發(fā)展迅速，但必需指出的是，測試儀器變化并不大，而器件的特點卻發(fā)生了明顯變化。
利用4200-SCS進行四探頭電阻與霍爾電壓測試
評估MOSFET器件熱載波感應的劣化
本應用指南介紹了怎樣使用吉時利Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)，利用所需的關鍵功能測量熱載波感應的劣化。
評估氧化物可靠性
本應用指南介紹了怎樣使用吉時利Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)執(zhí)行氧化物可靠性測試。
Model 4225-PMU超快速I-V模塊的超快速I-V應用
4225-PMU是為4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)提供的多個模塊之一。根據(jù)應用要求，系統(tǒng)可以配置成包括精密DC源測量單元系統(tǒng)、DC預放、多頻率C-V表和脈沖發(fā)生器，使得4200-SCS成為完整的全內(nèi)置特性分析工具。 應用指南 08 Aug 2016
測量通道有效移動性的超快速單脈沖技術
本應用指南介紹了準確評估移動性的一種新型超快速單脈沖技術，包括技術原理、怎樣連接器件、以及怎樣使用Model 4200-SCS中提供的軟件
半導體元器件C-V測試 - 應用指南
本C-V測試應用電子指南包含大量的應用指南，介紹了使用吉時利Model 4200-SCS參數(shù)分析儀的C-V測試方法和技術。
元器件和半導體器件的脈沖式I-V測試 - 應用指南
本脈沖式I-V測試應用電子指南包括大量的應用指南，介紹了使用Model 4200-SCS參數(shù)分析儀進行脈沖式I-V測試的方法和技術。
ACS集成測試系統(tǒng)，實現(xiàn)基于實驗室的自動化操作
產(chǎn)品開發(fā)周期和測試成本壓力不斷提高，意味著測試工程師必須用更少的投入做更多的工作。通過采用吉時利經(jīng)過驗證的儀器和測量功能，ACS綜合測試系統(tǒng)添補了基于交互式實驗室的工具與高吞吐量生產(chǎn)測試工具之間的重要空白。 應用指南 08 Aug 2016
探測集成電路觸點級晶體管
Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)
使用Mode 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)在高阻抗器件上執(zhí)行超低頻電容-電壓測量
使用晶圓圖參數(shù)選項及Cascade Nucleus探頭軟件和Model 4200-SCS
使用低噪聲Model 4200-SCS進行超低電流測量
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)分析MOS電容器的C-V特點
使用Model 4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包及Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)進行高電壓和高電流C-V測量
適用于Model 4200-SCS：分析NVM特性，測量VLF C-V，同時進行更多的脈沖式或超快速I-V測量
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)進行太陽能/光伏電池I-V和C-V測量
使用吉時利Model 4200-SCS監(jiān)測MOSFET器件的通道熱載波(CHC)劣化
使用Model 4200-SCS和Zyvex S100納米操縱裝置進行納米線和納米管I-V測量
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)優(yōu)化低電流測量
使用Model 4200分析柵極介電電容-電壓特性
使用4200-CVU電容-電壓單元測量電感
改善Model 4200-SCS的測試速度和整體測試時間
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)和Series 3400脈沖/碼型發(fā)生器進行電荷泵測量
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統(tǒng)執(zhí)行電荷泵測量
修改吉時利互鎖電纜236-ILC-3，用于Cascade 12000系列半自動探頭
利用4200-SCS型參數(shù)分析儀，對碳納米管晶體管(CNT FET)進行電氣特性分析
親眼見證創(chuàng)新！ 4200A-SCS 是一種可以量身定制、全面集成 的參數(shù)分析儀，可以同步查看電流電壓(I-V)、電容電壓(C-V) 和超快速脈沖式I-V 特性。 4200A-SCS 加快了半導體、材料和工藝開發(fā)速度。
4200A-SCS ClariusTM 基于GUI 的軟件提供了清楚的、不折不 扣的測量和分析功能。憑借嵌入式測量專業(yè)知識和數(shù)百項隨時 可以投入使用的應用測試，Clarius Software 可以更深入地挖掘 研究過程，快速而又滿懷信心。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀可以根據(jù)不同用戶需求進行靈活配 置，不管是現(xiàn)在還是未來，都可以隨時對系統(tǒng)進行升級。通過 4200A-SCS 參數(shù)分析儀，通往發(fā)現(xiàn)之路現(xiàn)在變得異常簡便。
美國吉時利KEITHLEY 4200A-SCS半導體參數(shù)分析儀主要性能指標
I-V 源測量單元(SMU)
± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模塊
100 fA測量分辨率
選配前端放大器提供了 10 aA測量分辨率
10 mHz - 10 Hz 超低頻率電容測量
四象限操作
2 線或 4 線連接
C-V 多頻率電容單元(CVU)
AC 阻抗測量 (C-V, C-f, C-t)
1 kHz - 10 MHz 頻率范圍
± 30 V (60 V差分)內(nèi)置DC偏置源，可以擴展到± 210 V(420 V 差分)
選配 CVIV 多通道開關，在 I-V 測量和 C-V 測量之間簡便切換脈沖式I-V 超快速脈沖測量單元(PMU)
兩個獨立的或同步的高速脈沖 I-V 源和測量通道
200 MSa/s，5 ns 采樣率
±40 V (80 V p-p)，±800 mA
瞬態(tài)波形捕獲模式
任意波形發(fā)生器 Segment ARB® 模式，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率
高壓脈沖發(fā)生器單元(PGU)
兩個高速脈沖電壓源通道
±40 V (80 V p-p)，± 800 mA
任意波形發(fā)生器 Segment ARB®模式，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率I-V/C-V 多通道開關模塊 (CVIV)
在 I-V測量和 C-V 測量之間簡便切換，無需重新布線或抬起探針
把 C-V測量移動到任意端子，無需重新布線或抬起探針遠程前端放大器/ 開關模塊(RPM)
在 I-V 測量、C-V 測量和超快速脈沖 I-V 測量之間自動切換
把 4225-PMU的電流靈敏度擴展到數(shù)十皮安
降低電纜電容效應
為材料、半導體器件和工藝開發(fā)提供優(yōu)秀的參數(shù)分析儀
使用強大的Clarius 軟件，可以更加快速的完成I-V, C-V 和脈沖I-V 測試，結果清晰明了
直流電流-電壓
(I-V) 范圍
10 aA - 1A
0.2 µV - 210 V
電容-電壓
(C-V) 范圍
1 kHz - 10 MHz
± 30V 直流偏置
脈沖 I-V
范圍
±40 V (80 V p-p)，±800 mA
200 MSa/s，5 ns 采樣率
大膽發(fā)現(xiàn)從未如此容易。 4200A-SCS 參數(shù)分析儀可將檢定和測試設置的復雜程度降低高達 50%，提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。 另外，嵌入式測量專業(yè)知識可提供測試指南并讓您對結果充滿信心。
特點
內(nèi)置測量視頻采用英語、中文、日語和韓語
使用數(shù)百個用戶可修改應用測試開始您的測試
自動實時參數(shù)提取、數(shù)據(jù)繪圖、算數(shù)函數(shù)
測量、 切換、 重復。
4200A-CVIV 多通道切換模塊自動在 I-V 和 C-V 測量之間切換，無需重新布線或抬起探頭端部。 與競爭產(chǎn)品不同，四通道 4200A-CVIV 顯示器提供本地可視查看，可快速完成測試設置，并在出現(xiàn)意想不到的結果時輕松排除故障。
無需重新布線即可將 C-V 測量移動到任何設備終端
用戶可配置低電流功能
個性化輸出通道名稱
查看實時測試狀態(tài)
檢定、 自定義、 。
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簡單地說，4200A-SCS 可以自定義且全面升級，您可以對半導體設備、新材料、有源/無源組件、晶片級可靠性、故障分析、電化學或幾乎任何類型的樣本執(zhí)行電氣檢定和評估。
NBTI/PBTI 測試
隨機電報噪聲
非易失內(nèi)存設備
穩(wěn)壓器應用測試
帶分析探測器和低溫控制器的集成解決方案。
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4200A-SCS 參數(shù)分析儀支持許多手動和半自動晶片探測器和低溫控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低溫控制器。
“點擊”測試定序
“手動”探測器模式測試探測器功能
假探測器模式無需移除命令即可實現(xiàn)調(diào)試
降低成本并保護您的投資
產(chǎn)品技術資料 型號 說明
查看規(guī)格書 4200A-SCS-PK1
高分辨率 IV 套件 210V/100mA，0.1 fA 分辨率
對于兩端和三端設備，MOSFET、CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK1 包括：
4200A-SCS 參數(shù)分析儀
(2) 4200-SMU 模塊
(1) 4200-PA 前置放大器
(1) 8101-PIV 測試夾具與采樣設備
4200A-SCS-PK2
高分辨率 IV 和 CV 套件 210V/100mA，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz
對于高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK2 包括：
4200A-SCS 參數(shù)分析儀
(2) 4200-SMU 模塊
(1) 4200-PA 前置放大器
(1) 4210-CVU 電容-電壓模塊
(1) 8101-PIV 測試夾具與采樣設備
4200A-SCS-PK3
高分辨率和高功率 IV 和 CV 套件 210V/1A，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz
對于功率設備、高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 設備檢定套件 4200A-SCS-PK3 包括：
4200A-SCS 參數(shù)分析儀
(2) 4200-SMU 模塊
(2) 4210-SMU
(2) 4200-PA 前置放大器
(1) 4210-CVU 電容-電壓模塊
(1) 8101-PIV 測試夾具與采樣設備
4200-BTI-A
超快 NBTI/PBTI 套件 用于使用* CMOS 技術套件進行復雜的 NBTI 和 PBTI 測量 4200-BTI-A 包括：
(1) 4225-PMU 超快 I-V 模塊
(2) 4225-RPM 遠程前置放大器/開關模塊
自動化檢定套件 (ACS) 軟件
超快 BTI 測試項目模塊
電纜
半導體可靠性
在執(zhí)行復雜的可靠性測試時，4200A-SCS 可以幫您處理復雜的編碼工作。 內(nèi)含熱載波注入劣化 (HCI) 等項目，使您能夠快速開始設備分析。
評估 MOSFET 設備的熱載波感應劣化
特點
只需一組測試，即可滿足您的直流 I-V、C-V 和脈沖測量需求
支持多種探頭站和外部儀器
循環(huán)系統(tǒng)易于使用，允許在無需編碼的情況下重復測試
提供適合高阻抗應用的 C-V 測量功能
采用 Keithley 的自定義極低頻 C-V 技術分析高電阻樣本的電容。 該技術可通過僅使用源測量單元 (SMU) 儀器實現(xiàn)應用，同時可與 4210-CVU 結合使用，執(zhí)行更高頻率測量。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀可在高阻抗設備上執(zhí)行極低頻電容-電壓測量
簡化 MOSFET/MOSCAP 設備檢定的提示和技術
0.01 ~ 10 Hz 頻率范圍，1 pF ~ 10 nF 靈敏度
3½ 位典型分辨率，最小典型值 10 fF
非易失內(nèi)存
通過全面脈沖 I-V 檢定在測試中利用新技術。 4200A-SCS 為 NVRAM 技術提供支持和即用型測試，從浮動門電路閃存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。 電流和電壓雙源和測量功能同時支持瞬態(tài)和 I-V 域檢定。
非易失內(nèi)存技術脈沖 I-V 檢定
VCSEL 測試
4200A-SCS 中的多個并行源測量單元 (SMU) 儀器可簡化激光二極管測試。 僅使用一臺機器連接即可生成 LIV（光強-電流-電壓）曲線。 高級探頭站和開關支持使您能夠使用相同的儀器對單個二極管或整個陣列進行晶圓生產(chǎn)測試。 SMU 可配置為高達 21 W 容量，適用于多種連續(xù)波 (CW) VCSEL 應用。
納米級設備檢定
4200A-SCS 的集成儀器功能可簡化碳納米管等納米級電子器件開發(fā)方面的測量要求。 從預配置測試項目開始著手，逐步擴大您的研究工作范圍。 SMU 的脈沖源模式可幫助緩解過熱問題，數(shù)秒內(nèi)即可完成與低電壓 C-V 和超快速脈沖直流測量的組合。
碳納米管晶體管 (CNT FET) 的電氣檢定
材料電阻率
使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通過四點同軸探頭或范德堡法輕松測量電阻率。內(nèi)含測試可自動重復執(zhí)行范德堡計算，節(jié)省您寶貴的研究時間。10aA 的電流分辨率和大于 1016 歐姆的輸入阻抗可提供更準確和精準的結果。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀和四點同軸探頭可用于執(zhí)行半導體材料電阻率測量
4200A-SCS 參數(shù)分析儀可用于執(zhí)行范德堡和霍爾電壓測量
MOSFET 檢定
4200A-SCS 可容納所有必要的儀器，用于通過組件或晶圓測試執(zhí)行全面的 MOS 設備檢定。 內(nèi)含測試和項目可以解決 MOSCap 的氧化物厚度、門限電壓、摻雜濃度、移動離子濃度等問題。 只需觸摸一個儀器盒中的按鈕，即可運行所有這些測試。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀可用于執(zhí)行 MOS 電容 C?V 檢定
模塊 說明
4200-BTI-A 超快速 BTI 包
4200-PA 遠程預放大器模塊
4200-SMU 中功率源測量單位
4200A-CVIV I-V/C-V 多開關模塊
4210-CVU 電容-電壓單位
4210-SMU 大功率源測量單元
4220-PGU 高電壓脈沖發(fā)生器單元
4225-PMU 超快速脈沖測量單位
4225-RPM 遠程預放大器/開關模塊
4200-SMU-R 可現(xiàn)場更換的 MPSMU
4210-SMU-R 可現(xiàn)場更換的 HPSMU
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