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壹達(dá) 電轉(zhuǎn)儀電穿孔電轉(zhuǎn)染儀

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產(chǎn)品型號(hào)X-Porator H1

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更新時(shí)間：2021-11-25 16:21:35瀏覽次數(shù)：1734次

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上海昨非實(shí)驗(yàn)室設(shè)備有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新
自動(dòng)化程度	全自動(dòng)

1產(chǎn)品特點(diǎn)

1）升級(jí)為H1 PLUS，質(zhì)量性能大提升

歷經(jīng)一年，完成電子及結(jié)構(gòu)改進(jìn)點(diǎn)21項(xiàng)，軟件升級(jí)17版，改進(jìn)41項(xiàng)。

2）可配合流式電轉(zhuǎn)儀進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化與驗(yàn)證

3）高轉(zhuǎn)染率

自主專-利高密度矩陣針電極（HiDEN）在較低電壓下即能產(chǎn)生高度均勻、足夠強(qiáng)度的電場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)染率。

4）高細(xì)胞成活率

低壓均勻電場(chǎng)避免在電轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生大量氫氧根離子，從而有效地保護(hù)了細(xì)胞，顯著

詳細(xì)介紹

1產(chǎn)品特點(diǎn)

1）升級(jí)為H1 PLUS，質(zhì)量性能大提升

歷經(jīng)一年，完成電子及結(jié)構(gòu)改進(jìn)點(diǎn)21項(xiàng)，軟件升級(jí)17版，改進(jìn)41項(xiàng)。

2）可配合流式電轉(zhuǎn)儀進(jìn)行參數(shù)優(yōu)化與驗(yàn)證

3）高轉(zhuǎn)染率

自主專-利技術(shù)高密度矩陣針電極（HiDEN）在較低電壓下即能產(chǎn)生高度均勻、足夠強(qiáng)度的電場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)染率。

4）高細(xì)胞成活率

低壓均勻電場(chǎng)避免在電轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生大量氫氧根離子，從而有效地保護(hù)了細(xì)胞，顯著提高細(xì)胞存活率。

5）處理量大

單次轉(zhuǎn)染量最-高可達(dá)3ml，為市場(chǎng)其它產(chǎn)品處理量的4-30倍。

6）適用針電極和電極杯，專用針電極實(shí)現(xiàn)在培養(yǎng)板上直接轉(zhuǎn)染

無需專用的轉(zhuǎn)染杯或轉(zhuǎn)染載體，操作簡(jiǎn)單、易上手且使用成本行業(yè)內(nèi)最-低。

7）專用電極基座

可使用壹達(dá)PBMC專用電極杯。

8）無線操控系統(tǒng)使整個(gè)轉(zhuǎn)染過程無需離開超凈臺(tái)

有效減低樣品被污染的風(fēng)險(xiǎn)，并使實(shí)驗(yàn)過程更加迅速便捷，縮短操作時(shí)間也能進(jìn)一步提高細(xì)胞的存活率。

9）優(yōu)質(zhì)的售后服務(wù)

專業(yè)化實(shí)驗(yàn)團(tuán)隊(duì)提供即時(shí)在線或現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持。

10）合理的設(shè)備和耗材成本

2. 使用方便

3. 技術(shù)參數(shù)

項(xiàng)目	參數(shù)
單孔處理細(xì)胞液量	60-3,000 μl
電壓波形	方波
脈沖電源電壓范圍	1-400 V
方波持續(xù)時(shí)間	10-100,000 μs
脈沖間隔	15-10,000 ms
方波個(gè)數(shù)	1-100
電極	96-, 24-，12-孔板專用針電極/電極杯
無線傳輸距離	15 m
操作系統(tǒng)平臺(tái)	Android
輸入電壓	210-240 VAC
外形尺寸	寬220 × 深408 × 高180 mm
重量	8.2 kg

3. HiDEN技術(shù)

HiDEN技術(shù)是壹達(dá)自主研發(fā)的專-利技術(shù)，即高密度矩陣針電極。它為壹達(dá)X-Porator H1提供了均勻穩(wěn)定的電轉(zhuǎn)染電場(chǎng)，提高轉(zhuǎn)染效率。HiDEN技術(shù)使電極在較低電壓下產(chǎn)生細(xì)胞轉(zhuǎn)染所需的電場(chǎng)強(qiáng)度，顯著提高細(xì)胞存活率。

HiDEN技術(shù)的另外一個(gè)特點(diǎn)，是基本消除了傳統(tǒng)電極產(chǎn)生的陰極效應(yīng)。陰極效應(yīng)產(chǎn)生的大量氫氧根離子，對(duì)細(xì)胞造成極大損害，導(dǎo)致電轉(zhuǎn)后細(xì)胞較高的死亡率。而壹達(dá)X-Porator H1減少了陰極效應(yīng)的發(fā)生，從而顯著提高細(xì)胞的存活率。

結(jié)果展示

1. 結(jié)果節(jié)選

2. 成功案例

1)中科院基因組所，使用壹達(dá)X-Porator H1，轉(zhuǎn)染mRNA入人源DC細(xì)胞。設(shè)置參數(shù)為電壓230V，脈寬100µs，重復(fù)6次，間隔1s，TE=85.5%，V=81.2%，M=69.4%。使用市場(chǎng)L電轉(zhuǎn)儀產(chǎn)品進(jìn)行相同的實(shí)驗(yàn)，TE=97.2%，V=47.1%，M=45.8%。

2)中國(guó)臺(tái)灣國(guó)立清華大學(xué)，使用壹達(dá)X-Porator H1，4因子共轉(zhuǎn)MEF細(xì)胞誘導(dǎo)iPSCs。設(shè)置參數(shù)為電壓150V，脈寬100µs，重復(fù)6次，間隔1s，單轉(zhuǎn)TE=42.4%，三質(zhì)粒共轉(zhuǎn)TE=24.5%，V>95%。(發(fā)表于期刊Biomicrofluidics 9, 054107 (2015))。

3)某生物技術(shù)公司，使用壹達(dá)X-Porator H1，轉(zhuǎn)染DNA入mES細(xì)胞，TE>56.4%。比市場(chǎng)B電轉(zhuǎn)儀產(chǎn)品的轉(zhuǎn)染效率高出20個(gè)百分點(diǎn)以上。

4)中科院納米技術(shù)與納米仿生研究所，使用壹達(dá)X-Porator H1，以高轉(zhuǎn)染率和高存活率將T1造影劑轉(zhuǎn)染入MSC細(xì)胞。市場(chǎng)其它電轉(zhuǎn)儀和化學(xué)轉(zhuǎn)染試劑均無法實(shí)現(xiàn)。

3. 成功案例

壹達(dá)獨(dú)-家電轉(zhuǎn)技術(shù)助力科學(xué)家揭示干細(xì)胞移植體內(nèi)后的命運(yùn)！

2017年9月22日，國(guó)際一-流學(xué)術(shù)刊物Nano Research以封面文章發(fā)表了中國(guó)-科-學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所磁共振與納米技術(shù)課題組關(guān)于磁共振影像（MRI：Magnetic Resonance Imaging）在干細(xì)胞移植活體示蹤中的應(yīng)用的重大突破性成果。該研究團(tuán)隊(duì)使用壹達(dá)電轉(zhuǎn)儀X-Porator H1，突破了該研究領(lǐng)域多年的技術(shù)瓶頸。該文章標(biāo)題為：Cell-assembled(Gd-DOTA)i-triphenylphosphonium(TPP) nanoclusters as a T2 contrast agent reveal in vivo fates of stem cell transplants。

捷報(bào)！使用壹達(dá)電轉(zhuǎn)儀成功獲得iPSCs！存活率>95%！

由中國(guó)臺(tái)灣國(guó)立清華大學(xué)和北京大學(xué)研究人員主導(dǎo)的一項(xiàng)研究取得了可喜的成果：利用蘇州壹達(dá)生物科技（Etta Biotech Co., Ltd.）自主研發(fā)的高密度矩陣針電極（High-density Distributed Electrodes Network, HDEN）電轉(zhuǎn)染技術(shù)，成功獲得誘導(dǎo)性多能干細(xì)胞（induced Pluripotent Stem Cells, iPSCs）。相關(guān)研究結(jié)果于2015年9月11日在線發(fā)表于Biomicrofluidics期刊上，論文標(biāo)題“Generation of murine induced pluripotent stem cells by using high-density distributed electrodes network"。