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快速退火爐100~1100℃(廈門(mén)直銷)

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更新時(shí)間:2023-11-11 11:21:52瀏覽次數(shù):204

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

快速熱處理退火爐簡(jiǎn)稱RTP(RapidThermalProcessingFurnace),由我公司借鑒了國(guó)際*制造工藝,在管式爐的基礎(chǔ)上自主研發(fā)而成,不但擁有極快的升溫速率500℃/S,而且降溫速率也有了質(zhì)的飛躍100℃/S

詳細(xì)介紹

快速熱處理退火爐簡(jiǎn)稱 RTP(Rapid Thermal Processing Furnace),由我公司借鑒了國(guó)際*制造工藝,在管式爐的基礎(chǔ)上自主研發(fā)而成,不但擁有極快的升溫速率500℃/S,而且降溫速率也有了質(zhì)的飛躍100℃/S。我們的工程師們巧妙地利用了冷壁工藝,以至于達(dá)到如此快的降溫速度。真正的極速升溫和極速降溫!

腔體采用了雙層石英管結(jié)構(gòu),外層管進(jìn)氣,內(nèi)層管出氣,使得反應(yīng)氣氛與加工樣品充分而均勻地接觸。

加熱燈管之所以能夠讓硅片快速升溫,是因?yàn)楣庠床ㄩL(zhǎng)在0.3-4微米之間,石英管壁無(wú)法有效吸收這一波段的輻射,而晶片則正好相反。因此,晶片可以吸收輻射能量快速加熱,而此時(shí)石英管壁仍維持低溫,即所謂冷壁工藝。

應(yīng)用領(lǐng)域

Ø 速熱退火 (RTA); 離子注入后退火

Ø 石墨烯等氣象沉積,碳納米管等外延生長(zhǎng)

Ø 快速熱氧化 (,RTO); 熱氮化 (RTN);

Ø 硅化 (Silicidation);

Ø 擴(kuò)散 (Diffusion);

Ø 離子注入后退火 (Implant Annealing);

Ø 電極合金化 (Contact Alloying);

Ø 晶向化和堅(jiān)化 (Crystallization and Densification);

主要特點(diǎn)

Ø 極速升溫100℃/S,極速降溫100℃/S;

Ø 雙層爐管結(jié)構(gòu),氣氛與樣品接觸更均勻;

Ø 直接測(cè)量樣品表面溫度,測(cè)溫更精準(zhǔn);

Ø 爐膛根據(jù)設(shè)置可自動(dòng)左右移動(dòng),可以滿足更多的實(shí)驗(yàn)應(yīng)用;

Ø 真空度可達(dá)7.4×10-4Pa;

型號(hào)

*

溫度

升溫速率

℃/S

降溫速率

管徑

處理晶片

加熱區(qū)

恒溫區(qū)±2℃

外形尺寸mm

功率

重量

℃/S

(內(nèi))mm

尺寸 in

長(zhǎng)度mm

長(zhǎng)度mm

千克

RTP1100

1100℃

100

100

103

4″

200

150

800

540

750

5.0kw

45

*800℃以上保溫時(shí)間超過(guò)1分鐘會(huì)影響降溫速度,保溫10分鐘以上,需選配法蘭水冷套。

原創(chuàng)作者:廈門(mén)科朋儀器有限公司

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