混合氣體化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)

混合氣體化學(xué)氣相沉積CVD系統(tǒng)由高溫管式爐,真空壓強(qiáng)控制系統(tǒng),多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng),過壓保護(hù)及冷凝等部分組成,可實(shí)現(xiàn)真空達(dá)0.1mbar混合氣體化學(xué)氣相沉積和擴(kuò)散試驗(yàn)。

功能特點(diǎn)：
由高溫管式爐，真空壓強(qiáng)控制系統(tǒng)，多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)，過壓保護(hù)及冷凝等部分組成，可實(shí)現(xiàn)真空達(dá)0.1mbar混合氣體化學(xué)氣相沉積和擴(kuò)散試驗(yàn)。
產(chǎn)品用途：
適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用
產(chǎn)品參數(shù)

• 機(jī)器電源：AC220V，50/60Hz；
• 額定功率4kw
• 爐管：高純石英管，高溫下化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)，耐腐蝕，熱膨脹系數(shù)極小，能承受驟冷驟熱的溫度變化；
• 爐管尺寸：Φ80*/1000mm
• 加熱元件：0Cr27Al7Mo2
• 加熱區(qū)長度：400mm(可定制)
• 恒溫區(qū)長度：200mm(可定制)
• 工作溫度：≤1150℃
• 升溫速率：≤10℃/min
• 溫控系統(tǒng)：溫度控制采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能、30段升降溫程序
• 測溫元件：N型熱電偶
• 恒溫精度：±1℃
• 保護(hù)及提醒：超溫、斷偶故障警報(bào)及斷電保護(hù)、高精度質(zhì)量流量計(jì)通過數(shù)據(jù)接口連接電腦，配置軟件實(shí)時(shí)人機(jī)交互界面
• 混氣系統(tǒng)：四通道質(zhì)量流量控制，可同時(shí)通入四種不同氣體、內(nèi)置不銹鋼混氣箱，每路氣體管路均配有逆止閥、每路氣體進(jìn)氣管路配有不銹鋼針閥
• 流量規(guī)格：0~30SLM
• 控制精度：±1.0％F.S
• 極限真空：6.0×10-5Pa
• 工作真空：7.6×10-4Pa
• 冷凝系統(tǒng)：采用低溫恒溫槽，溫度可達(dá)-20℃、內(nèi)置不銹鋼真空冷凝灌，采用KF接頭，清理收集方便、槽內(nèi)冷液可外引,冷卻機(jī)外實(shí)驗(yàn)容器,也可在槽內(nèi)直接進(jìn)行低溫、恒溫實(shí)驗(yàn)