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分立器件測(cè)試儀

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更新時(shí)間:2019-11-27 19:04:41瀏覽次數(shù):592

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

分立器件測(cè)試儀升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng),通過(guò)選件可提高電壓電流,和增加測(cè)試品種范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V,1250A

詳細(xì)介紹

hustec-2005 半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

 基礎(chǔ)配置:

技術(shù)參數(shù)

ENJ2005-B型

主極電流

100nA-50A

擴(kuò)展電流

100A、500A、1000A、1300A

電壓分辨率

1mV

電流分辨率

1nA(可擴(kuò)展至10pA)

測(cè)試精度

0.2%+2LSB

測(cè)試速度

0.5mS/參數(shù)

分立器件測(cè)試儀測(cè)試參數(shù):

漏電參數(shù):IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、     IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù):BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、
                BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù):hFE、CTR、gFS、
導(dǎo)通參數(shù):VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
                IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO    (Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數(shù):rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關(guān)斷參數(shù):VGSOFF      
觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT
保持參數(shù):IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù):IL、IL+、IL-

分立器件測(cè)試儀系統(tǒng)特征:

● 測(cè)試范圍廣(19大類,27分類)
● 采用脈沖測(cè)試法,脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300uS
● 被測(cè)器件引腿接觸自動(dòng)判斷功能,遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試,確保被測(cè)器件不受損壞
● 真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試。(主流的直流方法測(cè)動(dòng)態(tài)跨導(dǎo),其結(jié)果與器件實(shí)際值偏差很大)
● 系統(tǒng)故障在線判斷修復(fù)能力,便于應(yīng)急處理排除故障

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