四探針測試儀

儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計的，于測試半導體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。
儀器采用了電子技術進行設計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結構緊湊、易操作等特點

測量范圍

電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴展)；
方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴展)；
電導率：10^-5～10⁵ s/cm；
電阻：10^-5～10⁵ Ω；

恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調

數(shù)字電壓表

量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；

基本指標

間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；