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詳細(xì)介紹
詳情介紹：
高真空磁控濺射鍍膜儀設(shè)備用途：
用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備?？蓮V泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
高真空磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù)：
真空室 | 梨型真空室，尺寸? 560×350mm | |
真空系統(tǒng)配置 | 復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、閘板閥 | |
極限壓力 | 2.0 * 10-5 Pa （經(jīng)烘烤除氣后） | |
恢復(fù)真空時(shí)間： | 40 分鐘可達(dá)到6 .6*10-4 Pa 。（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_始抽氣）
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磁控靶組件 | 永磁靶5套；靶材尺寸?60mm（其中一個(gè)可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；靶與樣品距離 90~130mm可調(diào)；
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基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(tái) | 基片結(jié)構(gòu) | 設(shè)計(jì)6個(gè)工位，其中１個(gè)工位安裝加熱爐，其余工位為水冷基片臺(tái) |
樣品尺寸 | ?30mm，可放置6片 | |
運(yùn)動(dòng)方式 | 0?360℃往復(fù)回轉(zhuǎn) | |
加熱 | 基片加熱*高溫度600℃±1℃ | |
基片負(fù)偏壓 | －200Ｖ | |
氣路系統(tǒng) | 質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路 | |
計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng) | 控制樣品轉(zhuǎn)動(dòng)，擋板開關(guān)，靶位確認(rèn)等 | |
設(shè)備占地面積 | 主機(jī) | 1300×800mm2 |
電控柜 | 700×700m2 | |
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