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高真空磁控濺射鍍膜儀

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào) CY-HVM
  • 品牌
  • 廠商性質(zhì) 其他
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更新時(shí)間:2020-12-31 14:13:46瀏覽次數(shù):597

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產(chǎn)品簡介

簡單介紹: 高真空磁控濺射鍍膜儀主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。高真空磁控濺射鍍膜儀廣泛應(yīng)用于科研院所、實(shí)驗(yàn)室制備單層或多層薄膜,以及新材料、新工藝研究。

詳細(xì)介紹

詳情介紹:

高真空磁控濺射鍍膜儀設(shè)備用途:

用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

高真空磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù):

真空室

梨型真空室,尺寸? 560×350mm

真空系統(tǒng)配置

復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、閘板閥

極限壓力

2.0 * 10-5 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)

恢復(fù)真空時(shí)間:

40 分鐘可達(dá)6 .6*10-4 Pa 。(系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_始抽氣)

 

磁控靶組件

永磁靶5套;靶材尺寸?60mm(其中一個(gè)可濺射磁性材料);各靶射頻灘射和直流裁射兼容;靶內(nèi)水冷;靶與樣品距離 90~130mm可調(diào);

 

基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(tái)

基片結(jié)構(gòu)

設(shè)計(jì)6個(gè)工位,其中1個(gè)工位安裝加熱爐,其余工位為水冷基片臺(tái)

樣品尺寸

?30mm,可放置6

運(yùn)動(dòng)方式

0?360℃往復(fù)回轉(zhuǎn)

加熱

基片加熱*高溫度600±1

基片負(fù)偏壓

200

氣路系統(tǒng)

質(zhì) 控制器 2

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

控制樣品轉(zhuǎn)動(dòng),擋板開關(guān),靶位確認(rèn)等

設(shè)備占地面積

主機(jī)

1300×800mm2

電控柜

700×700m2

免責(zé)聲明:本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容(包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等),僅供參考??赡苡捎诟虏患皶r(shí),會(huì)造成所述內(nèi)容與實(shí)際情況存在一定的差異,請與本公司銷售人員聯(lián)系確認(rèn)。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾,本公司會(huì)不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息,恕不另行通知,請您見諒。

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