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三離子束切割儀 Leica EM TIC 3X 電子顯微鏡

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更新時間:2023-11-02 09:37:59瀏覽次數(shù):954

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產(chǎn)品簡介

幾乎任何材質(zhì)樣品都可獲得高質(zhì)量截面,在沒有任何變形或損傷的情況下揭開樣品內(nèi)部最真實結(jié)構(gòu)信息,在使用徠卡EM TIC3X之前,這類工作從未變得如此之簡單。徠卡EM TIC 3X三離子束切割儀適宜處理軟/硬復(fù)合、帶有孔縫結(jié)構(gòu)、熱敏感性、脆性及非均質(zhì)樣品,獲得樣品截面,從而進(jìn)行掃描電子顯微鏡(SEM),微區(qū)分析(EDS,WDS,Auger,EBSD)及原子力顯微鏡或掃描探針顯微鏡(AFM,SPM)檢測。......

詳細(xì)介紹

三離子束技術(shù)

三離子束部件垂直于樣品側(cè)表面,因此在進(jìn)行離子束轟擊時樣品(固定在樣品托上)不需要做擺動運(yùn)動以減少投影/遮擋效應(yīng),這又保證有效的熱傳導(dǎo),減少樣品在處理過程中受熱變形。
技術(shù)
三離子束匯聚于擋板邊緣的中點(diǎn),形成一個100°轟擊扇面,切向暴露于擋板上方的樣品(樣品上端高出擋板約20-100μm),直到轟擊到達(dá)樣品內(nèi)部目標(biāo)區(qū)域。新型設(shè)計的離子槍可產(chǎn)生的離子束研磨速率達(dá)到300μm/h (Si10 kV,3.0 mA,50μm切割高度)。徠卡*的三離子束系統(tǒng),可獲得優(yōu)異的高質(zhì)量切割截面,并且速率高,切割面寬且深,這可大大節(jié)約工作時間。通過這一*技術(shù)可獲得高質(zhì)量切割截面,區(qū)域尺寸可達(dá)>4×1mm

Leica EM TIC 3X - 設(shè)計和操作方面的創(chuàng)新性特點(diǎn)

高通量,提高成本收益
??可獲得高質(zhì)量切割截面,區(qū)域尺寸可達(dá)>4×1mm
??多樣品臺設(shè)計可一次運(yùn)行容納三個樣品
??離子研磨速率高,Si材料300μm/h,50μm切割高度,可滿足實驗室高通量要求
??可容 納 樣 品 尺 寸 為50×50×10mm
??可使用的樣品載臺多種多樣簡單易用,高精度
??可簡易準(zhǔn)確地完成將樣品安裝到載臺上以及調(diào)節(jié)與擋板相對位置的校準(zhǔn)工作
??通過觸摸屏進(jìn)行簡單操控,不需要特別的操作技巧
??樣品處理過程可實時監(jiān)控,可以通過體視鏡或HD-TV攝像頭觀察
?? LED照明,便于觀察樣品和位置校準(zhǔn)
??內(nèi)置式,解耦合設(shè)計的真空泵系統(tǒng),提供一個無振動的觀察視野
??可在制備好的平整的切割截面上可再進(jìn)行襯度增強(qiáng)作用,即離子束刻蝕處理。
??通過USB即可進(jìn)行參數(shù)和程序的上傳或下載
??幾乎適用于任何材質(zhì)樣品
??使用冷凍樣品臺,擋板和樣品溫度可降至–150°C
多種多樣的樣品載臺

幾乎適合于各式尺寸樣品,并適合于廣泛用途。如用一個樣品托,就可以完成前機(jī)械預(yù)制備(徠卡EM TXP)至離子束切割(徠卡EM TIC 3X),以及SEM鏡檢,然后再放入樣品存儲盒中以備后續(xù)檢測。
襯度增強(qiáng)

在離子束切割之后,無需取下樣品,用同樣的樣品載臺還可對樣品進(jìn)行襯度 增強(qiáng)作用,可以強(qiáng)化樣品內(nèi)不同相之前的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(如晶界)
高精度

現(xiàn)在,樣品中越來越小的細(xì)節(jié)結(jié)構(gòu)正逐步受到人們的關(guān)注。而通過切割獲得截面,如獲得很小的TSVia孔結(jié)構(gòu),已經(jīng)變得輕而易舉。所有樣品臺都設(shè)計達(dá)到±2μm的樣品位置校準(zhǔn)精度。不僅樣品臺的控制精度可以實現(xiàn)如此精確的目標(biāo)定位校準(zhǔn)工作,觀察系統(tǒng)也可觀察最小約3μm大小的樣品細(xì)節(jié),以便進(jìn)行精確的目標(biāo)定位。為幫助定位時更好地觀察樣品,4分割LED環(huán)形光源或LED同軸照明提供很大幫助,幫助使用者從體視鏡或HD-TV攝像頭中獲得清晰的圖像。
由于將真空泵內(nèi)置于儀器內(nèi)部,因此不需要再單獨(dú)騰出一個空間。得益于真空泵的解耦合設(shè)計,在樣品制備過程中,觀察視野不會受到真空泵產(chǎn)生的振動干擾。

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