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SI 500 PPD等離子沉積機

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更新時間:2021-07-13 20:36:29瀏覽次數(shù):283

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產(chǎn)品簡介

SI 500 PPD是一種*的等離子體增強化學氣相沉積介質(zhì)薄膜的工具,硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面電容耦合等離子體源,真空加載鎖定,控溫基片電極,可選配低頻混頻,全控無油真空系統(tǒng)采用*的森泰克控制軟件,采用遠程現(xiàn)場總線技術,具有非常友好的通用用戶界面用于操作SI 500 PPD的用戶界面。

詳細介紹

德國 Sentech SI 500 PPD等離子沉積機

過程的靈活性

PECVD沉積工具SI 500 PPD的使用方便沉淀SiO2、SiNx、SiOxNy的標準工藝,a- si在室溫到350℃之間。

真空loadlock SI 500 PPD的特點是真空加載鎖定和干燥. 抽油機適用于無油、高產(chǎn)量和沉積過程的清潔度。

SENTECH控制軟件

用戶友好的強大軟件包括模擬GUI、參數(shù)窗口、食譜編輯器、數(shù)據(jù)日志和用戶管理。

SI 500 PPD是一種*的等離子體增強化學氣相沉積介質(zhì)薄膜的工具,硅、碳化硅和其他材料。它是基于平面電容耦合等離子體源,真空加載鎖定,

控溫基片電極,可選配低頻混頻,全控無油真空系統(tǒng)采用*的森泰克控制軟件,采用遠程現(xiàn)場總線技術,具有非常友好的通用用戶界面用于操作SI 500 PPD的用戶界面。

從直徑200毫米的晶圓片到裝載在載體上的各種基板,都可以在SI 500 PPD等離子體沉積儀。單片【真空負荷鎖定】保證了穩(wěn)定的工藝條件和可以方便地切換進程。

SI 500 PPD等離子體增強沉積工具被配置成在a中沉積SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜

溫度范圍從室溫到350℃。解決方案可用于TEOS, SiC,以及其他具有液態(tài)或氣態(tài)前體的物質(zhì)。SI 500 PPD適用于介質(zhì)的沉積用于蝕刻掩膜、薄膜、鈍化膜、波導等的薄膜和非晶態(tài)硅。

SENTECH提供不同水平的自動化,從真空盒加載到一個過程室到六個端口集群,不同的沉積和蝕刻模塊,以高靈活性或高吞吐量為目標。SI 500 PPD也可以作為集群配置上的進程模塊。


PECVD SI 500 PPD

PECVD等離子體沉積工具與真空loadlock

高達200毫米晶圓

襯底溫度從RT到350℃

低應力薄膜可選低頻混頻

TEOS和其他液體前驅(qū)體的來源

干式抽油機

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