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PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)

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更新時(shí)間:2021-07-14 09:26:59瀏覽次數(shù):440

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PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng),平臺(tái)旨在提供深硅蝕刻(DSiE)領(lǐng)域的的靈活性以滿足微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、 *封裝以及納米技術(shù)市場(chǎng)的各種工藝要求??紤]到研究和生產(chǎn)的市場(chǎng)發(fā)展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。

詳細(xì)介紹

PlasmaPro 100 Estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)

PlasmaPro 100 Estrelas 平臺(tái)旨在提供深硅蝕刻(DSiE)領(lǐng)域的的靈活性以滿足微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)、 *封裝以及納米技術(shù)市場(chǎng)的各種工藝要求??紤]到研究和生產(chǎn)的市場(chǎng)發(fā)展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。

。光滑側(cè)壁工藝
。高刻蝕速率腔刻蝕
。高深寬比工藝
。錐形通孔刻蝕
。廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域
。機(jī)械或靜電壓盤
。加熱內(nèi)襯
。改善重復(fù)性
。延長(zhǎng)了兩次清洗間的平均時(shí)間間隔(MTBC)

概述:

PlasmaPro 100 Estrelas平臺(tái)旨在確保覆蓋MEMS,*封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用,從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕,不需要更換腔室硬件就可以實(shí)現(xiàn)。

特征:

硬件設(shè)計(jì)使同一腔室中可進(jìn)行Bosch™和超低溫刻蝕工藝,使得納米和微米結(jié)構(gòu)刻蝕均可實(shí)現(xiàn)。

兼容50mm至200mm的襯底 - 確保您只需一臺(tái)系統(tǒng),便具備從研發(fā)器件到量產(chǎn)的能力

自動(dòng)匹配 - 擁有工藝靈活性

更高流量的質(zhì)量流量計(jì)以及等離子發(fā)生器 - 自由基密度更高

減小的腔體尺寸和高效率的泵 - 確保氣體高速流通

快速近距離耦合質(zhì)量流量計(jì) - 快速控制(初始為ALD而開(kāi)發(fā))

應(yīng)用:

· 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

· 二氧化硅和石英刻蝕

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