功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)特征：
● 測(cè)試范圍廣（19大類(lèi)，27分類(lèi)）
● 采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300uS
● 真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試。（主流的直流方法測(cè)動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)，其結(jié)果與器件實(shí)際值偏差很大）
● 系統(tǒng)故障在線(xiàn)判斷修復(fù)能力，便于應(yīng)急處理排除故障
功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀基礎(chǔ)配置：
技術(shù)參數(shù) | ENJ2005-B型 |
主極電流 | 100nA-50A |
擴(kuò)展電流 | 100A、500A、1000A、1300A |
電壓分辨率 | 1mV |
電流分辨率 | 1nA(可擴(kuò)展至10pA) |
測(cè)試精度 | 0.2%+2LSB |
測(cè)試速度 | 0.5mS/參數(shù) |
分立器件測(cè)試儀測(cè)試參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、 IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、
BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS、
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO (Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數(shù)：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠(chǎng)商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠(chǎng)商及高校研究所等；
德誼邦電子科技（江蘇）有限公司-，功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商，2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。
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