福州市斷路器模擬裝置生產(chǎn)工廠

、產(chǎn)品簡介

       HDS-6斷路器模擬裝置主要用于繼電保護(hù)裝置的整組試驗，以及在備用電源自投裝置試驗等項目中，替代真實的高壓斷路器。配合微機繼電保護(hù)測試儀系統(tǒng)進(jìn)行現(xiàn)場調(diào)試，可準(zhǔn)確模擬斷路器的動作行為，動作時間、直流電阻可調(diào)，減少斷路器在保護(hù)調(diào)試期間的開關(guān)動作次數(shù)，是微機繼電保護(hù)測試系統(tǒng)*的重要設(shè)備。本裝置可選配內(nèi)置電源。

 二、主要特點

      1、可分相或三相合閘、跳閘。

      2、自動適應(yīng)DC48V、110V、220V電壓。

      3、可選擇不同跳、合閘電流（電阻）及時間。

      4、固態(tài)器件、光耦隔離，安全可靠。

      5、體積小、重量輕，攜帶方便。

      6、內(nèi)置電源（選配）。

 三、技術(shù)指標(biāo)

      1、供電電源：AC 220V±5%

      2、跳合閘操作電源：DC48V、110V、220V

      3、跳合閘電阻：50Ω、100Ω、200Ω

      4、合閘時間：0～199ms，級差1ms

      5、跳閘時間：0～99ms，級差1ms

      6、模擬斷路器常閉/常開接點容量：AC220V/5A

      7、內(nèi)置電源：12-270V/10A（選配）

      8、環(huán)境溫度：5～40℃

      9、環(huán)境濕度：5～90%

      10、外形尺寸及質(zhì)量：

             鐵主機箱：330×218×150mm，重量6kg

             ABS機箱：415×319×168 mm，重量6.7kg

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總的損耗為P = U² ωC tgδ  ①

U、ω一定時，P與C、tgδ有關(guān)， → P = C ₁ tgδ₁ + C ₂ tgδ₂  又C = C₁  + C₂

則  C ₁ tgδ₁ + C ₂ tgδ₂ = C tgδ

tgδ= （C ₁ tgδ₁ + C ₂ tgδ₂）/（C₁  + C₂）   ②

若套管電容C ₁= 250PF，tgδ₁= 5%           （超差）

而變壓器電容C ₂= 10000PF，tgδ₂= 0.4%      （良好）

從②式可以看出總tgδ= 0.5 %                （合格），可見明顯形成了誤判斷。

設(shè)備的選取及常規(guī)試驗方法：因為精度和靈敏度的原因，測變壓器和一般套管的介損時（包括電容式CT），應(yīng)采用HD6000A光導(dǎo)介損測試儀，而當(dāng)測試電容式PT電容量和tgδ時，可采用HD6000異頻介損測試儀，它介紹了CVT的中壓電容C ₂ 的測試方法，比較方便（自激法）。兩者的原理前者是通過比較內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)回路電流和被試品的電流的幅值及相互的相差，后者是電橋原理，離散傅立葉算法。一般接線形式主要有二種：正接法：適用于測量兩相對地絕緣的設(shè)備，測試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；反接法：適用于測量一級接地的設(shè)備，儀器的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法，對角接線等，不同的試驗設(shè)備均有不同的接線形式，取決于現(xiàn)場環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。

需要說明的是現(xiàn)場試驗時要創(chuàng)造條件，力求測試精度，如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測試必須要用正接法，應(yīng)要求安裝單位制作測試平臺，以達(dá)到兩極絕緣的條件。

對于CVT中壓電容的tgδ測試，應(yīng)充分理解儀器的操作程序福州市斷路器模擬裝置生產(chǎn)工廠福州市斷路器模擬裝置生產(chǎn)工廠，按照其說明，操作規(guī)程進(jìn)行試驗。

交接規(guī)程的一般要求及條款：電力變壓器：當(dāng)電壓等級為35KV及以上，且容量在8000KVA以上時，應(yīng)測試tgδ，其tgδ值不應(yīng)大于產(chǎn)品出廠試驗值的130%，對于300MW或600MW機組的廠高變，一般未達(dá)到上述要求，交接試驗可不作；但一般廠家出廠試驗均有該項目的數(shù)據(jù)，為充分體現(xiàn)對用戶負(fù)責(zé)的思想，建議測試以便比較，但不出試驗報告。互感器：規(guī)定了20℃下電流互感器（油紙電容式）的tgδ，220KV≤0.6%，330KV≤0.5，500KV≤0.5。其電容與銘牌差值應(yīng)在±10%之內(nèi)，只針對主絕緣。而電壓互感器只規(guī)定了35KV及以上油浸式的tgδ值，35KV的20℃時≤3.5%，35KV以上的不應(yīng)大于出廠值的130%。套管：現(xiàn)場一般有油紙電容式，20-500KV下，tgδ≤0.7%，電容差值在±10%范圍內(nèi)。說明一點，不管電容式CT還是電容式套管，都會有末屏，應(yīng)在測主絕緣tgδ之前進(jìn)行末屏的測絕緣，用2500V搖表，應(yīng)大于1000MΩ，有的出廠試驗也有末屏tgδ值，因此絕緣達(dá)不到要求時，應(yīng)測tgδ以便比較，但是試