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大功率IGBT測(cè)試設(shè)備

參考價(jià)	￥ 60000
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng)深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)HUSTEC-1600A-MT
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2020/10/20 17:09:28
訪問(wèn)次數(shù)596

產(chǎn)品標(biāo)簽:

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專(zhuān)業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*，坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國(guó)，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長(zhǎng)；華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專(zhuān)家等技術(shù)人才組建，致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商，2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

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首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng)，SMT智能首件檢測(cè)儀，首樣檢測(cè)，首板確認(rèn)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢(xún)價(jià)

產(chǎn)地	國(guó)產(chǎn)	產(chǎn)品新舊	全新

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 Introducion

大功率IGBT測(cè)試設(shè)備HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數(shù)測(cè)試儀，可用于IGBT單管及模塊，SIC器件，MOS管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

大功率IGBT測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品信息

HUSTEC-1600A-MT

大功率IGBT測(cè)試設(shè)備

Power Device Static Parameter Tester

大功率IGBT測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品簡(jiǎn)介 Introducion

HUSTEC-1600A-MT是一款大功率器件參數(shù)測(cè)試儀，可用于IGBT單管及模塊，SIC器件，MOS管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

產(chǎn)品測(cè)試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容，可升級(jí)到3KA/10KV.

VGE可達(dá)±100V；開(kāi)啟電壓VGETH支持兩種測(cè)試方法；

采用插槽式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，便于升級(jí)和維護(hù)；

設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測(cè)試，晶閘管測(cè)試，

自動(dòng)進(jìn)行分檔測(cè)試，既覆蓋大功率特征下的測(cè)試范圍，又可保證小功率器件測(cè)試精度

支持單點(diǎn)測(cè)試，I-V曲線掃描，還具有曲線對(duì)比功能；同一規(guī)格型號(hào)，不同批次的產(chǎn)品曲線對(duì)比，同一規(guī)格，不同廠家之家的產(chǎn)品曲線對(duì)比

開(kāi)放通訊接口，可以連接探針臺(tái)做wafer / chip 測(cè)試，也可以連接HANDLE,夾具及適配器做模塊測(cè)試,

測(cè)試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件，WORD報(bào)告

技術(shù)指標(biāo) Technical Specifications

技術(shù)指標(biāo)
★	3.4	VGE(th)柵極閾值電壓	VGE：0.1～10V±1%±0.01V；
	3.5	VGE(th) 測(cè)試條件與精度	集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；
★	3.6	VCES集射極截止電壓	VCES：0-5000V±1%±2V；
	3.7	VCES 測(cè)試條件與精度	集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA；
★	3.8	ICES集射極截止電流	集電極電流ICES：0.01～50mA 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA；
	3.9	ICES 測(cè)試條件與精度	集電極電壓VCES：50～500V±1%±1V； 500～5000V±1%±2V；
★	3.10	VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降	集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V
	3.11	VCE(sat) 測(cè)試條件與精度	柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE：0-1600A 0～100A±1%±1A； 100～1600A±1%±1A；
★	3.12	Iges柵極漏電流	柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA
	3.13	Iges測(cè)試條件與精度	柵極電壓Vge：±1Ｖ～100V±1%±0.1V；Vce=0V；
★	3.14	VF正向特性測(cè)試	二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～10V±1%±0.01V
	3.15	VF正向特性測(cè)試測(cè)試條件與精度	電流IF：0～100A±2%±1A； 100～1600A±1%±2A；