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雪崩能量測(cè)試儀廠家華科智源

參考價(jià)	￥ 60000
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)TC57300
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間2020/10/23 15:36:00
訪問次數(shù)533

產(chǎn)品標(biāo)簽:

igbt測(cè)試儀 IGBT靜態(tài)測(cè)試儀半導(dǎo)體分立器件 IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*，坐落于改革開放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國(guó)，智能創(chuàng)新，源遠(yuǎn)流長(zhǎng)；華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè)，積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略，投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商，2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

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首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng)，SMT智能首件檢測(cè)儀，首樣檢測(cè)，首板確認(rèn)

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雪崩能量測(cè)試儀廠家華科智源ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。

雪崩能量測(cè)試儀廠家華科智源產(chǎn)品信息

雪崩能量測(cè)試儀廠家ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。

雪崩能量測(cè)試儀廠家HUSTEC2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)功能指標(biāo)：

配置	測(cè)試范圍	測(cè)試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V～4500V	20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場(chǎng)效應(yīng)管	EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量	Ic	1mA～200A	1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA
	DIODEs 二極管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J～2000J	1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測(cè)	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負(fù)載	10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、
			重復(fù)間隙時(shí)間	1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s）重復(fù)次數(shù)：1~50次