產(chǎn)品介紹
Crossbeam 350 的 Gemini 可變氣壓鏡筒適用于各類樣品，用途廣泛。利用可變氣壓模式，可進(jìn)行原位實(shí)驗(yàn)，即便樣品含有氣體或容易荷電，也能提供出色的分析環(huán)境。
Crossbeam 550 的 Gemini II 鏡筒與其雙聚光鏡系統(tǒng)在低電壓或高束流下也能獲得高分辨率圖像， 如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進(jìn)行快速分析，這無(wú)疑是您的理想之選。
技術(shù)參數(shù)
| 型號(hào) | 察司 Crossbeam 350 | 察司 Crossbeam 550 |
| 掃描電子顯微鏡（SEM） | 肖特基發(fā)射源 | 肖特基發(fā)射源 |
| 1.7 nm @ 1 kV | 1.4 nm @ 1 kV | |
| 1.2 nm @ 1 kV,配備 Tandem decel | ||
| 1.6 nm @ 2（X） V,配備 Tandem decel | ||
| 0.9 nm @ 5 kV | 0.7 nm? 15kV | |
| 0.7 nm 仞 30 kV （STEM 模式） | 0.6nm@30kV （STEM 模式） | |
| 2.3 nm ? - kV （工作距離 5 mm） | 1.8 nm ? 1 kV （工作距離 5mm） | |
| 1.3 nm ? 1 kV.配備 Tandem deed （工作距離 5 mm） | ||
| 1.1 nm ? "5kV （工作距離 5 mm） | 0.9nm@ 15kV （工作距離 5 mm） | |
| 2.3 nm 仞 20 kV & 10 nA （工作距離 5 mm） | 2.3nm@20kV&10nA （工作距離 5 mm） | |
| 電子束流：5 M-100 nA | 電子束流：10 pA-100 nA | |
| 聚焦離子束（FIB） | 液態(tài)金屬離子源：壽命：3000 pAh | 液態(tài)金屬離子源：壽命：3000 pAh |
| 分辨率：3nm@30kV （統(tǒng)計(jì)方法） | 分辨率：3nm@30kV （統(tǒng)計(jì)方法） | |
| 分辨率：120nm@1 kV&10pA （可選） | 分辨率：120nm 仞 1 kV& 10pA | |
| 檢測(cè)器 | Intens SE. hlens EsB. VPSE （可變氣壓二次電子探測(cè)劉、 SESI （二次電子二次離子探測(cè)器）、aSTEM （掃描透射電子探測(cè)器）、 aBSD （背散射探測(cè)器） | Inlens SE. Intens EsE. ETD （Everhard-Thomley 探測(cè)器）、 SESI （二次電子二次離子探測(cè)器）、aSTEM （掃描透射電子探測(cè)器）、 aBSD （背散射探測(cè)器）和CL （陰披熒光探測(cè)器） |
| 樣品倉(cāng)規(guī)格和鎭口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)配有18個(gè)可配買端口 | 標(biāo)準(zhǔn)樣品倉(cāng)配有18個(gè)可配買端口 大型樣品倉(cāng)配有22個(gè)可配置說口 |
| 樣品臺(tái) | X/Y = 100 mm | X/Y = 100 mm X/Y = 153 mm |
| Z = 50 rnrr, Z '=13 mm | Z = 50 mm. Z * = 13 mm Z = 50 mm. Z * = 20 mm | |
| T = -4° 至 70。，R = 360° | T = -4° 至 70。，R =360° T=-15。至 70。，R = 360° | |
| 電荷控制 | 電子束流槍 | 電子束流槍 |
| 局部電荷中和箋 | 局部電荷中和箋 | |
| 可變氣壓 | — | |
| 氣體 | 單通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C. SiO,. W. H.0 | 單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt. C. SiOx. w. h2o |
| 多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt. C. W. Au. H2O. SiOx XeF2 | 多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt. C、W、Au. A。、SOX. XeF2 |
應(yīng)用案例
| 典型應(yīng)用，典型樣品 | 任務(wù) | 蔡司Crossbeam應(yīng)用案例 |
| 橫截面切割 | 獲取橫裁面的高渤率醐，以得到亞表面信息。 | Crossbeam提供一系列用于全面樣品表征的探測(cè)器，可同時(shí)呈現(xiàn)四種探測(cè)器信號(hào)，從 樣品中得到更多信息。Gemini鏡筒的設(shè)計(jì)可避免樣品暴路于磁場(chǎng)中，在大觀察視野下 圏像無(wú)崎變。高達(dá)50 kx 40 k的圖像幀存儲(chǔ)分辨率令Crossbeam成為大面枳作分布囲 應(yīng)用的理想之選。 |
| FIB-SEM斷層掃描成像 | 可在獲得一系列哉面圖像后進(jìn)行3D重構(gòu)。 | Inlens EsB探測(cè)器提供優(yōu)異的材科成分襯度，并由于其只探測(cè)樣品表面幾納米深度內(nèi)的 信號(hào)從而實(shí)現(xiàn)極表面成像。在F舊切割時(shí)使用EsB成像可使持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)效率 更高。智能軟件解決方案能鑼在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間無(wú)人值守的3D數(shù)據(jù)采集工作，以 獲得可靠和精確的結(jié)果。 |
| 生命科學(xué)領(lǐng)域中的FIB-SEM三維至構(gòu) | 獲取橫裁面的高渤圖像或執(zhí)行大量斷層掃描，以逬行形態(tài)分析。 | 通過對(duì)感興趣區(qū)域進(jìn)行精準(zhǔn)定位.成像以及重構(gòu)來(lái)獲取生物樣品的3D信息。 |
| 3D分析 | 研究樣品的化學(xué)和晶體微觀結(jié)構(gòu)。 | Crossbeam是對(duì)樣品誑行3D EDS和3DEBSD分析的利器，可通過提供的不同軟 件包全自動(dòng)采集3D數(shù)據(jù)集。 |
| TEM樣品制備 | 制謹(jǐn)TEM或STEM薄片樣品，以進(jìn)行分析。 | Crossbeam提供了完整的TEM薄片樣品制備解戻方案，晝至可逬行批量制備。 Ion-sculptor FIB鏡筒貝有在低電壓下獲取高質(zhì)量薄片樣品的出色性能，可避免情密樣品 的非晶體化，定會(huì)讓您受益匪淺。只需完成簡(jiǎn)單的三步工作流程，然后等待自動(dòng)執(zhí)行即 可。在最終筋薄期間，采用獲得的X2樣品夾可制備高質(zhì)量的薄片樣品。終點(diǎn)探測(cè)軟 件能夠獲取薄片樣品厚度的精確信息，對(duì)您大有助益。 |
| 納米圖形化加工 | 利用FIB （或SEM）結(jié)合不同的輔助氣體， 創(chuàng)建新結(jié)構(gòu)或?qū)ΜF(xiàn)有結(jié)構(gòu)進(jìn)行加工。 | 在SEM的全面實(shí)時(shí)控制下逬行FIB圏形化加工。在FIB圏像中選擇和繪制您要?jiǎng)?chuàng)建的形 狀、設(shè)置參數(shù)并開始加工即可。即使臺(tái)無(wú)經(jīng)驗(yàn)的用戶也可利用此方便易用的系統(tǒng)軟件獲 得出色的成像結(jié)果。在多數(shù)高級(jí)加工任務(wù)中，您可使用軟件訪問所有相關(guān)的SEM、F舊 或GIS參數(shù)，從而在單個(gè)對(duì)象層面上定制的F舊加工方案。您可在潔線狀態(tài)下計(jì)劃 和創(chuàng)建FIB任務(wù)。 |
| 電池或聚合物的表面高靈敏分析 | 對(duì)固體表面幾個(gè)原子層的組分逬行表征。 | 新増ToF-SIMS飛行時(shí)間二次離子段譜儀使您能夠分析鋰等微量元素，檢測(cè)同位素， 并作元素分布圖及深度剖面分析，其橫向分析分辨率低至35nmo |
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