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詳細介紹
連續(xù)式HJT太陽能異質(zhì)結電池HWCVD設備
Key equipment for fabrication of a-Si/c-Si heterojunction bifacial solar cells
（HJT-101型立式雙面熱絲CVD/Vertical Bifacial HWCVD (model HJT-101)
一、概況
Outline
本設備由南昌大學光伏研究院與帕薩電子裝備有限公司聯(lián)合研制。用于非晶硅/晶體硅異質(zhì)結（HJT）太陽電池研發(fā)與制造，制備本征及摻雜非晶硅薄膜，同時作為150MW產(chǎn)線設備開發(fā)雛形。
（發(fā)明：ZL.9，ZL.0，.2）
Jointly developed by Indtitute of Photovoltaics, Nanchang University (IPV) and DG Plasma, for research and pilot-scale fabrication of full size a-Si/c-Si heterojunction (HAC) solar cells, and as a prototype for production line of 150MWp/a scale.
(Patent: ZL.9，ZL.0，.2)
二、主要優(yōu)勢
Major advantages
1、可在不破真空情況下實現(xiàn)硅片雙面的i/n、i/p四層薄膜的連續(xù)制備；
2、無繞鍍問題；
3、特殊設計延長熱絲壽命；
4、與現(xiàn)行產(chǎn)線i/n和i/p非晶硅薄膜需分兩臺裝備完成相比，可節(jié)省一組unload/load 腔和上下料自動化；
5、產(chǎn)能擴展空間大。
l Bifacial continuous deposition of i/n and i/p a-Si:H films
l Free of round deposition problem
l Prolonged hot wire life through a special design
l Saving a set of unload/load chambers and automation, compared with other current models, which requires two sets of CVD to perform i/n and i/p a-Si:H films respectively
l Good scalability
三、主要技術指標
Key equipment for fabrication of a-Si/c-Si heterojunction bifacial solar cells
（HJT-101型立式雙面熱絲CVD/Vertical Bifacial HWCVD (model HJT-101)
一、概況
Outline
本設備由南昌大學光伏研究院與帕薩電子裝備有限公司聯(lián)合研制。用于非晶硅/晶體硅異質(zhì)結（HJT）太陽電池研發(fā)與制造，制備本征及摻雜非晶硅薄膜，同時作為150MW產(chǎn)線設備開發(fā)雛形。
（發(fā)明：ZL.9，ZL.0，.2）
Jointly developed by Indtitute of Photovoltaics, Nanchang University (IPV) and DG Plasma, for research and pilot-scale fabrication of full size a-Si/c-Si heterojunction (HAC) solar cells, and as a prototype for production line of 150MWp/a scale.
(Patent: ZL.9，ZL.0，.2)
二、主要優(yōu)勢
Major advantages
1、可在不破真空情況下實現(xiàn)硅片雙面的i/n、i/p四層薄膜的連續(xù)制備；
2、無繞鍍問題；
3、特殊設計延長熱絲壽命；
4、與現(xiàn)行產(chǎn)線i/n和i/p非晶硅薄膜需分兩臺裝備完成相比，可節(jié)省一組unload/load 腔和上下料自動化；
5、產(chǎn)能擴展空間大。
l Bifacial continuous deposition of i/n and i/p a-Si:H films
l Free of round deposition problem
l Prolonged hot wire life through a special design
l Saving a set of unload/load chambers and automation, compared with other current models, which requires two sets of CVD to perform i/n and i/p a-Si:H films respectively
l Good scalability
三、主要技術指標
| 結構形式 | In-Line立式 |
| 基片尺寸 | 156.75mm*156.75mm ,厚度：140um-170um（可定制） |
| 載片數(shù)量 | 4片，2*2布置（可定制） |
| 非晶硅薄膜沉積室極限真空度 | 6.67*10-5Pa |
| 非晶硅薄膜沉積工藝壓強范圍 | 0.5Pa-10Pa |
| TCO膜濺射室極限真空度 | 6.67*10-5Pa |
| TCO膜濺射工藝壓強范圍 | 0.1-2Pa |
| 加熱溫度 | 室溫~300℃（可調(diào)） |
| 溫度精度 | ±2℃ |
| 熱絲電源 | DC電源，3KW |
| 濺射電源 | RF射頻電源，13.56MHz，1000W |
| 膜厚均勻性 | ±5%（10nm條件下測定） |
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