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美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 2000

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特別適合大中型真空系統(tǒng), 帶有水冷方式, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流. 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.尺寸: 直徑= 5.7 高= 5.5放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

詳細(xì)介紹

美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 2000 產(chǎn)品特性:

伯東 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性:

1.水冷 - KRI 霍爾離子源 eh 1000 對(duì)比, 提供更高的離子輸出電流

2.可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極

3.寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率

4.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便

5.高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

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