雪崩能量測(cè)試儀廠家 華科智源

雪崩能量測(cè)試儀廠家 華科智源ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來(lái)對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。 它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。

雪崩能量測(cè)試儀廠家ITC55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。ITC55100可以用來(lái)對(duì)功率MOSFET和IGBT的耐用性測(cè)試。 它還能測(cè)試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測(cè)量IGBT的正向和反向偏置。

雪崩能量測(cè)試儀廠家HUSTEC2020 雪崩耐量測(cè)試系統(tǒng)功能指標(biāo)：

配置	測(cè)試范圍	測(cè)試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V～4500V	20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V  1000V~4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場(chǎng)效應(yīng)管	EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量	Ic	1mA～200A	1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA  2A～200A±3%±50mA
	DIODEs 二極管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J～2000J	1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J  500J～2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測(cè)	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負(fù)載	10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、
			重復(fù)間隙時(shí)間	1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次

 

測(cè)試模式

單脈沖松開電感的開關(guān)（UIS）

單脈沖雪崩應(yīng)力（EAS）

重復(fù)性雪崩能量（EAR）

重復(fù)脈沖故障（RPF）

 

執(zhí)行的測(cè)試

連續(xù)性測(cè)試裝置的插座和/或接觸

DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測(cè)試

- 前，后的雪崩

功能設(shè)備測(cè)試

雪崩測(cè)試