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AR-P617 電子束光刻膠

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市藍星宇電子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2021/7/23 20:36:58
  • 訪問次數(shù)415
產(chǎn)品標(biāo)簽:

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深圳市藍星宇電子科技有限公司,經(jīng)過十多年的紫外光專業(yè)技術(shù)沉淀,可以根據(jù)客戶特殊要求提供定制化服務(wù),研發(fā)設(shè)計組裝:紫外臭氧清洗機(UV清洗機),準(zhǔn)分子清洗機,等離子清洗機/去膠機等科研以及生產(chǎn)設(shè)備,擁有自主品牌及注冊商標(biāo)。 同時我們代理歐美日多家高科技設(shè)備廠家高性價比產(chǎn)品, 始終堅持創(chuàng)新, 技術(shù), 服務(wù), 誠信的企業(yè)文化,為廣大中國及海外客戶提供的儀器設(shè)備和材料的整體解決方案。 應(yīng)用領(lǐng)域: 半導(dǎo)體/微納,光電/光學(xué), 生命科學(xué)/生物醫(yī)療等領(lǐng)域的研發(fā)和生產(chǎn), 客戶群體例如高等院校, 研究所,科技企業(yè)及醫(yī)療機構(gòu)等。 半導(dǎo)體/微納,光電/光學(xué) 產(chǎn)品主要有: 德國ParcanNano(Nano analytik)針尖光刻機,電子束光刻機, 激光直寫光刻機,紫外光刻機,微納3D打印機,德國Sentech刻蝕機/鍍膜機及原子沉積,英國HHV磁控/電子束/熱蒸發(fā)鍍膜機,微波離子沉積機MPCVD,芬蘭Picosun原子層沉積機,電子顯微鏡, 德國Bruker布魯克原子力顯微鏡/微納表征/光譜儀, 美國THERMO FISHER賽默飛光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀,美國Sonix超聲波顯微鏡, 德國耐馳Netzsch熱分析儀, 德國Optosol吸收率發(fā)射率檢測儀, 日本SEN UV清洗機/UV清洗燈,美國Jelight紫外清洗機/紫外燈管,德國Diener等離子清洗機等*技術(shù)產(chǎn)品。 生命科學(xué)/生物醫(yī)療 產(chǎn)品主要有:PCR儀,核酸質(zhì)譜儀/核酸檢測儀,電子顯微鏡,紫外設(shè)備,光譜/色譜/質(zhì)譜/波譜儀,生物芯片,試劑,實驗耗材等。 并可依據(jù)客戶需求,研發(fā)定制相關(guān)產(chǎn)品。我們以高性價比的優(yōu)勢為客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與服務(wù),為高等院校, 研究所,科技企業(yè)及醫(yī)療機構(gòu)等客戶提供儀器設(shè)備和材料。
電子顯微鏡
德國Allresist 正電子束光刻膠 AR-P 610系列用于納米光刻的 AR - P617電子束電阻共聚物抗蝕劑系列用于生產(chǎn)集成電路和掩模
AR-P617 電子束光刻膠 產(chǎn)品信息

德國Allresist 正電子束光刻膠 AR-P 610系列

用于納米光刻的 AR - P617電子束電阻

共聚物抗蝕劑系列用于生產(chǎn)集成電路和掩模

描述

-電子束,深紫外光(248nm)

-分辨率,高對比度

-對玻璃、硅和金屬有很強的附著力

-比PMMA敏感3-4倍

-敏感性可以通過軟烤調(diào)整

-用于平面化和多層工藝

-溫度穩(wěn)定,可達240℃

-以甲基丙烯酸甲酯為基礎(chǔ)的共聚物

甲基丙烯酸,安全溶劑1-甲氧基-2-丙醇

屬性 I

屬性 II

工藝條件

該圖顯示了AR-P 610系列電阻的典型工藝步驟。所有規(guī)范都是指導(dǎo)原則必須適應(yīng)自身具體情況的價值觀。For 進一步 信息 processing, ? “Detailed 電子束電阻的處理說明"。For 建議 廢水 處理 和 general 安全 instructions, ? ”General 產(chǎn)品 信息 Allresist 電子束 resists”.

Processing instructions

抗蝕劑的敏感性隨軟烤溫度的升高而增加,這是因為抗蝕劑的形成更加強烈下 的 甲基 丙烯酸 酐 的 分離 水 (? 圖 劑量 與 softbake temperature).AR-P 617,因此,在200℃回火比在180℃回火大約敏感20%。劑量可以是對兩層AR-P 617系統(tǒng)進行相應(yīng)的調(diào)整,對于兩層系統(tǒng)具有重要意義。在這種情況下,首先,底層在200℃下干燥,然后在180℃與上層膜一起回火。由于差異化的過程,較低的層次被開發(fā)人員更快地攻擊,并明顯削弱結(jié)構(gòu)形成(起飛)。這些起飛結(jié)構(gòu)也可以由雙層系統(tǒng)PMMA/共聚物。首先在190℃下對ar - p617進行涂層回火處理,然后對其進行PMMA抗AR-P 679.03紡絲涂膜,150℃烘干。曝光后,兩層都是一步顯影,如AR 600-56處理瓶塞AR 600-60并沖洗。

剝離結(jié)構(gòu)為ar - p617兩層側(cè)切結(jié)構(gòu), 采用PMMA/共聚物

經(jīng)過AR 600-50的開發(fā) 開發(fā)后的PMMA/共聚物雙層體系

底部:AR-P 617.06, 400納米厚,200℃回火 底部:AR-P 617.06, 400納米厚,在190℃回火

頂部:AR-P 617.06, 500納米厚,180℃回火 頂部:AR-P 679.06, 180納米厚,150℃回火

由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸組成的共聚物與純PMMA產(chǎn)品相比,在熱載荷作用下能形成6環(huán)。在這種情況下,兩個甲基丙烯酸基團必須相鄰排列在聚合物鏈上(見大的結(jié)構(gòu)式左),這在統(tǒng)計學(xué)上發(fā)生足夠高混合比例為2:1時的頻率(見右上方分子式)。在這個溫度下反應(yīng)是可能的,因為在反應(yīng)過程中產(chǎn)生的水是非常好的離開組織。

The 6-ring 形成 分裂 比 脂肪 鏈 更 容易 在 與 電子 輻照 remainder 導(dǎo)致 copolymer. 的 靈敏度 越 高一旦調(diào)整,靈敏度將保持不變。逆開環(huán)反應(yīng)是不可能的。

由于其優(yōu)異的涂層性能,使其成為可能存在 的 水平 出 拓撲 wafer 發(fā)展 之前在這個例子中,200納米高氧化層結(jié)構(gòu)采用AR-P 617.08涂層的薄膜厚度為780納米。曝光后(20kv)和開發(fā)(AR 600- 50,2分鐘),晶圓片結(jié)構(gòu)被*平面的抗蝕劑線覆蓋。

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