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詳細(xì)介紹
◆ 高通量的斷面研磨
配備斷面研磨能力達(dá)到500 µm/h*2以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質(zhì)材料，也可以高效地制備出斷面樣品。
*2在加速電壓6 kV下，將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)時(shí)的超大深度
◆ 斷面研磨
即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構(gòu)成的復(fù)合材料，也可以制備出平滑的斷面樣品
優(yōu)化加工條件，減輕損傷
可裝載超大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
斷面研磨的主要用途
制備金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等各種樣品的斷面
制備用于分析開(kāi)裂和空洞等缺陷的斷面
制備評(píng)價(jià)、觀察和分析所用的沉積層界面以及結(jié)晶狀態(tài)的斷面
斷面研磨加工原理圖
◆ 平面研磨（Flat Milling®）
均勻加工成直徑約為5mm的范圍
可運(yùn)用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域
大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品
可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(dòng)（±60度～±90度的翻轉(zhuǎn)）2種加工方法
平面研磨（Flat Milling®）的主要用途
去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變
去除樣品的表層
消除FIB加工的損傷
平面研磨（Flat Milling®）加工原理圖
◆ 與日立SEM的樣品結(jié)合
樣品無(wú)需從樣品臺(tái)取下，就可直接在SEM上進(jìn)行觀察。
在抽出式的日立SEM上，可按照不同的樣品分別設(shè)置截面、平面研磨桿，因此，在SEM上觀察之后，可根據(jù)需要進(jìn)行再加工。
*1將Si從遮擋板邊緣伸出100 µm并加工1小時(shí)的深度
*2千分尺旋轉(zhuǎn)1圈時(shí)的遮擋板移動(dòng)量。斷面研磨夾持器比為1/5
◆ 大氣隔離樣品桿
大氣隔離樣品桿，可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。
密封蓋將樣品密閉，進(jìn)入真空排氣的樣品室后，打開(kāi)密封蓋。如此，離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接設(shè)置到SEM*1、FIB*1、AFM*2上。
*1僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。
*2僅支持真空型日立AFM。
鋰離子電池負(fù)極（充電后）
大氣暴露 大氣隔離
◆ 用于加工時(shí)觀察的立體顯微鏡
IM4000、IM4000PLUS通過(guò)設(shè)置在樣品室上方的立體顯微鏡，可觀察到研磨過(guò)程中的樣品。
如果是三目型，則可以通過(guò)CCD攝像頭*3進(jìn)行監(jiān)控觀察。
*3CCD攝像頭以及監(jiān)控器由客戶(hù)準(zhǔn)備。
◆ 冷卻溫度調(diào)節(jié)功能*1
附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS
該功能可有效防止加工過(guò)程中，由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升，所導(dǎo)致樣品的溶解和變形。對(duì)于過(guò)度冷卻后會(huì)產(chǎn)生開(kāi)裂的樣品，通過(guò)冷卻溫度調(diào)節(jié)功能可防止其因過(guò)度冷卻而產(chǎn)生開(kāi)裂。
*1此調(diào)節(jié)功能不是IM4000PLUS的標(biāo)配功能，而是配有冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS功能。
樣品：鉛焊料
常溫研磨 冷卻研磨
◆ 斷面研磨
如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器，則可以3小時(shí)內(nèi)制備出平滑的斷面。
樣品：陶瓷電容器
低倍圖像 放大圖像
即使硬度和成分不同的多層結(jié)構(gòu)材料，也可以制備斷面。
樣品：保險(xiǎn)杠涂膜
低倍圖像 放大圖像
這是通過(guò)鋰電池正極材料，斷面研磨獲得平滑截面的應(yīng)用實(shí)例。
在SEM上觀察到的具有特殊對(duì)比度的部位，從SSRM（Scanning Spread Resistance Microscopy）圖像來(lái)看，考慮為電阻低的部位。
樣品：鋰離子電池正極材料 樣品制備方法：斷面研磨
鋰離子電池正極材料：二次電子像/SSRM圖像
◆ 平面研磨（Flat Milling）
可以去除機(jī)械研磨所引起的研磨損傷和塌邊，并可觀察到金屬層、合金層和無(wú)鉛焊料的Ag分布。
樣品：無(wú)鉛焊料
機(jī)械研磨后 平面研磨后
因老化等變得臟污的觀察面、分析面，通過(guò)平面研磨，也可以獲得清晰的通道對(duì)比度圖像和EBSD模式。
樣品：銅墊片
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