本設(shè)備為雙靶磁控濺射鍍膜儀,可用于金屬薄膜的制備,在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用,也可實驗室SEM樣品制備。
雙靶磁控濺射鍍膜儀配置結(jié)構(gòu):
設(shè)備配有兩支磁控靶,兩套直流電源,可用于鍍多層導(dǎo)電金屬膜。同時設(shè)備具有主腔室和過渡艙兩部分,過渡艙配有磁力推桿,兩個艙室之間裝有真空閘板閥;用戶可以在主腔室進行濺射工作的同時,在過渡艙裝填樣品,并進行真空預(yù)抽,待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設(shè)計能夠減少主腔室抽放真空的次數(shù),不僅能有效節(jié)省時間,更能保證更好的本地真空,有效提高鍍膜質(zhì)量。雙靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 帶過渡艙型雙靶磁控濺射鍍膜儀 |
產(chǎn)品型號 | CY-MSP325G-2T-DVC-2DC(double vacuum chamber) |
安裝條件 | 1、使用環(huán)境溫度 25℃±15℃,濕度 55%Rh±10%Rh; 2、設(shè)備供電:AC220V,50Hz,必須有良好接地; 3、額定功率:5000w; 4、設(shè)備用氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣清洗,需客戶自備氬氣,純度 ≥99.99%; 5、擺放場地尺寸要求 1200mm×1200mm×2000mm; 6、擺放位置要求通風散熱良好。 |
技術(shù)參數(shù) | 1、 濺射電源:直流電源500W x2;*大輸出電壓600V,極限輸出電流1000mA 2、 磁控靶:2英寸平衡靶,配磁耦合擋板; 3、 磁控靶適用靶材: φ50mm x 3mm厚導(dǎo)電金屬靶材 4、 腔體尺寸:主腔體φ325mm x 410mm;過渡腔體150x150x150mm 5、 腔體功能:主腔體配有密封圈密封的側(cè)開門,帶擋板的石英觀察窗,及轉(zhuǎn)移樣品用的手動操作桿。過渡腔體配有密封圈密封的帶石英視窗的上蓋,運送樣品進主腔體的磁耦合推桿,獨立的真空系統(tǒng)。 6、 腔體材質(zhì): 不銹鋼304 7、 旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺:轉(zhuǎn)速1~20rpm 連續(xù)可調(diào);加熱溫度*高500℃,升溫速度推薦10℃/min,*高20℃/min。 8、 冷卻方式:磁控靶及分子泵需要循環(huán)水冷機; 9、 水冷機:水箱容積9L,流速10L/min 10、 供氣系統(tǒng):質(zhì)量流量計, 氣體類型Ar氣,流量1~200sccm(可定制); 11、 流量計精度:±1.5%量程 12、 真空腔體抽氣接口為 CF160; 13、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭; 14、 顯示屏為14工控電腦一體機; 15、 可調(diào)節(jié)濺射電流,可設(shè)置濺射安全電流值、安全真空值; 16、 安全保護:過流、真空過低自動切斷濺射電流; 17、 真空系統(tǒng):主腔體配有CY-GZK103高真空分子泵組,分子泵抽速600L/s;過渡腔體配有小型分子泵組,分子泵抽速60L/s。兩組真空系統(tǒng)可獨立工作和控制,腔室之間及真空系統(tǒng)內(nèi)的氣動閥均有程序控制,可實現(xiàn)一鍵動作,方便快捷。 18、 極限真空:5E-4Pa(搭配分子泵); 19、 真空測量為復(fù)合真空計,其量程為:10-5Pa~105Pa |
注意事項 | 1、 為了達到較高的無氧環(huán)境,至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。 2、 磁控濺射對進氣量比較敏感,需要使用質(zhì)量流量計控制進氣量。 3、 設(shè)備不使用時應(yīng)將腔體保持真空。 4、 長時間未抽真空,再次使用時應(yīng)進行除氣操作,以提高真空性能。 |
可選配件 | |
膜厚監(jiān)測儀 | 1、膜厚分辨率:0.0136?(鋁) 2、膜厚準確度:±0.5%,取決于過程條件,特別是傳感器的位置, 材料應(yīng)力,溫度和密度 3、測量速度:100ms-1s/次,可設(shè)置測量范圍:500000?(鋁) 4、標準傳感器晶體:6MHz 5、適用晶片頻率:6MHz 適用晶片尺寸:Φ14mm 安裝法蘭:CF35 |
其他配件 | 1、CY-CZK103系列高性能分子泵組(含復(fù)合真空計,測量范圍10-5Pa~105Pa); CY-GZK60系列小型分子泵組(含復(fù)合真空計,測量范圍10-5Pa~102Pa) VRD-4雙極旋片真空泵; 2、KF25/40真空波紋管;長度可選0.5m、1m、1.5m;KF25卡箍支架 3、膜厚儀晶振片; |