三靶磁控濺射鍍膜儀是我公司自主研發(fā)的高性價比磁控濺鍍設備，具有標準化、模塊化、定制化的特點。該設備可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介電薄膜、光學薄膜、氧化膜、硬薄膜、聚四氟乙烯薄膜等，三種靶材可以滿足多層或多層涂層的需要。與同類設備相比，三靶磁控濺射鍍膜儀不僅應用廣泛，而且具有體積小、操作方便等優(yōu)點。它是實驗室制備材料薄膜的理想設備。
三靶磁控濺射鍍膜儀技術參數(shù)：
三靶磁控濺射鍍膜機（直流電源+射頻電源） 樣品臺 濺射模式 濺射方向向上，樣品臺位于濺射靶上方； 中心頂部設置樣品架，帶一個擋板； 樣品臺 φ150mm 控制精度 ±1℃ 加熱范圍 室溫～500℃ 可調轉速 1-20rpm可調 靶基距離可調 靶材和襯底之間的距離可以電動調節(jié) 磁控靶槍 靶面 圓形平面靶 濺射真空 10Pa～0.2Pa 靶材直徑 50～50.8mm 靶材厚度 2～5mm 注：如果靶是磁性材料（如Fe、Co、Ni），厚度不能超過1.5mm，需要強磁濺射靶槍，需要額外采購。 絕緣電壓 >2000V 數(shù)量 2 英寸*3；每個濺射靶槍上都有擋板 電纜規(guī)格 SL-16 靶頭溫度 ≤65℃ 真空腔體 內(nèi)壁處理 電解拋光 腔體尺寸 φ300mm × 350mm 腔體材料 304 不銹鋼 觀察窗口 石英窗，直徑φ100mm，帶擋板 密封方法 氟橡膠密封 打開方式 頂部開口，氣缸輔助支架 氣體控制系統(tǒng) 流量控制 三通道質量流量計： 氧氣：范圍0～100SCCM 氬氣：范圍0～200SCCM 氮氣：范圍0～500SCCM （注意：為了實現(xiàn)更高的無氧環(huán)境，必須用高純度惰性氣體清潔真空室至少3次。） 氣體類型 氬氣、氮氣、氧氣和其他惰性氣體 控制閥類型 電磁閥 控制閥靜態(tài) 常閉 測量線性度 ±1.5% F.S 測量重復性 ±0.2% F.S 測量響應時間 ≤8 seconds（T95） 工作壓力范圍 0.3MPa 閥體壓力 3MPa 工作溫度 （5～45）℃ 閥體材料 不銹鋼 316L 閥體泄漏率 1×10-8Pa.m3/s 管道接頭 1/4″壓縮接頭 輸入和輸出信號 0～5V 電源 ±15V（±5%）（＋15V 50mA, －15V 200mA） 外形尺寸(mm) 130 (寬) × 102 (高) × 28 (厚) 通信接口Interface RS485 MODBUS 協(xié)議 直流電源 電源 500W 輸出電壓 0～600V *大輸出電流 1A 正時長度 65000 S 開始時間 1～10 S 數(shù)量 2臺 射頻電源 電源 500W 功率輸出范圍 0W-500W, 帶自動匹配 *大反射功率 100W RF頻率 13.56MHz+/-0.005% 穩(wěn)定性 電源穩(wěn)定性 ≤5W 諧波分量 小于 -50dbc 數(shù)量 1臺 整體的極限真空 ≦5×10-5Pa 真空室增壓率 ≦2.5Pa/h
采購中心
