牛津離子束刻蝕機(jī)Ionfab 300 IBE
離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng),包括直開(kāi)式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào),以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果。
。多模式功能
。能夠與其它等離子體刻蝕和沉積設(shè)備相集成
。單晶圓傳送模式或集群式晶圓操作
。雙束流配置
。更低的表面薄膜粗糙度
。更佳的批次均勻性和工藝重復(fù)性
。準(zhǔn)確終點(diǎn)監(jiān)測(cè) —— SIMS,發(fā)射光
產(chǎn)品特點(diǎn):
· 質(zhì)量薄膜高 ——超低污染
· 產(chǎn)量高,緊湊的系統(tǒng)體積設(shè)計(jì) ——運(yùn)行成本低
· 已獲得的高速襯底架(高達(dá)1000RPM)設(shè)計(jì),并配備了白光光學(xué)監(jiān)視器(WLOM)——更為準(zhǔn)確的實(shí)時(shí)光學(xué)薄膜控制
· 配置靈活 ——適于*的研究應(yīng)用
· 靈活的晶圓操作方式 —— 直開(kāi)式、單晶圓傳送模式或者帶機(jī)械手臂的盒對(duì)盒模式
應(yīng)用:
· 磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)
· 介電薄膜
· III-V族光電子材料刻蝕
· 自旋電子學(xué)
· 金屬電極和軌道
· 超導(dǎo)體
· 激光端面鍍膜
· 高反射(HR)膜
· 防反射(AR)膜
· 環(huán)形激光陀螺反射鏡
· X射線光學(xué)系統(tǒng)
· 紅外(IR)傳感器
· II-VI族材料
· 通信濾波器