RTP 200型快速退火爐

　　產品簡介：

　　REAL RTP200型快速退火爐是韓國ULTECH公司的一款8寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術，可實現真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制精確，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇。

　　技術特色：

　　- 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補償

　　- 紅外鹵素管燈加熱

　　- 極其優(yōu)異的加熱溫度精確性與均勻性

　　- 快速數字PID溫度控制

　　- 不銹鋼冷壁真空腔室

　　- 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

　　- 結構緊湊，小型桌面系統(tǒng)

　　- 帶觸摸屏的PC控制

　　- 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標準值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

　　- 3路氣體（MFC控制）

　　- 沒有交叉污染，沒有金屬污染

　　真實基底溫度測量技術介紹

　　如上圖，由陣列式鹵素燈輻射出熱量經過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測量的不是基片真實的溫度，必須進行溫度補償。

　　REAL RTP200型快速退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫，如上圖，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素燈輻射出熱量經過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會進行熱量傳遞，并很快達到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度，從而實現基片溫度的真實測量。

　　主要技術參數：

　　- 基片尺寸：8英寸

　　- 基片基座：石英針（可選配SiC涂層石墨基座）

　　- 溫度范圍：150-1250℃

　　- 加熱速率：10-150℃/S

　　- 溫度均勻性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

　　≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

　　- 溫度控制精度：≤ ±3℃

　　- 溫度重復性：≤ ±3℃

　　- 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

　　- 氣路供應：標準1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（最多可選3路）

　　- 退火持續(xù)時間：≥35min@1250℃

　　- 溫度控制：快速數字PID控制

　　- 尺寸：1300mm*820mm*1300mm

　　基片類型：

　　- Silicon wafers硅片

　　- Compound semiconductor wafers化合物半導體基片

　　- GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍寶石基片

　　- Silicon carbide wafers碳化硅基片

　　- Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

　　- Glass substrates玻璃基片

　　- Metals金屬

　　- Polymers聚合物

　　- Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

　　應用領域：

　　離子注入/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介電材料，晶體化，致密化，太陽能電池片鍵合等。