電子束刻蝕系統(tǒng)
型號(hào): Zeiss Supra55+Raith圖形發(fā)生器
廠家:德國(guó)Zeiss和 Raith公司
技術(shù)指標(biāo):
SEM分辨率:2 nm
最小線寬:10 nm
單個(gè)單元的尺寸400um*400um
主要功能及應(yīng)用范圍:
采用電子束直接曝光的方法,制作納米圖形結(jié)構(gòu)(最小線寬為12nm)。用于各種微納器件與納米人工結(jié)構(gòu)的制作,是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具,也可用于直寫(xiě)高精度的光刻模板。如可用于制作下列器件與結(jié)構(gòu):微納電子器件,光電子器件,生物傳感器,微納機(jī)電系統(tǒng),超導(dǎo)電子學(xué)器件,磁電子學(xué)器件,低維材料輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量的納米電極,光子晶體與左手材料等。